在集成電路芯片制造技術中，最為關鍵技術的是用于電路圖形生產和復制的光刻技術，光刻技術的研究與開發，在每一代集成電路技術的更新中都扮演著技術先導的角色。光刻技術的進步也是推動摩爾定律不斷向前發展的源動力。

光刻技術的基本原理是，利用光刻機和涂膠顯影機設備，將光刻版上的圖形重復多次投影到硅片上，涂在硅片上的光刻膠有感光性和抗蝕性；光刻膠也有分為正膠和負膠，正膠曝光部分在顯影液中被溶解，沒有曝光的膠層留下；負膠的曝光部分在顯影液中不溶解，而沒有曝光的膠層卻被溶解掉。經過顯影后，則顯出光刻圖形。

目前主流的光刻技術是光學光刻技術，光學光刻是由投影光學系統和掩模版相結合來產生光刻圖形的。曝光方式普遍采用步進掃描投影式曝光。

光學臨近修正（Optical Proximity Correction）技術，簡稱OPC技術。在光刻過程中，由于光的衍射和干涉現象以及光刻膠的效應等，實際硅片上得到的光刻圖形與光刻版圖形之間存在一定的變形和偏差，光刻中這種偏差直接影響電路性能和產品量率。為了消除這種誤差，光學臨近修正（OPC）技術應用而生 。

光學臨近修正技術的基本原理是在光刻工藝基本確定的前提下，設計不同尺寸的掩模圖形，利用掩模圖形尺寸與光刻工藝后硅片圖形尺寸的對應關系，建立光學臨近效應的模型（OPC model），基于建立好的光學臨近效應的模型，預測實際設計的電路圖形在硅片上光刻圖形的尺寸，從而對電路圖形做出修正以補償這種效應，最終在硅片上得到和電路設計相同或最相近的圖形。

  研發中心光刻和OPC共性工藝包括：

  1．光刻設備評估、測試和驗證；

  2．光刻材料評估、測試和驗證；

  3．光刻工藝技術開發；

  4．OPC技術開發。

針對OPC技術開發，ICRD已經與國際主流的供應商新思科技（Synopsys）和ASML-Brion分別建立了工藝技術聯合實驗室,共同為客戶提供OPC技術開發、培訓等服務。